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参数资料
| 型号： | APT25GT120BR |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AA |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | APT25GT120BR |
APT25GT120BR(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θ
JC
,
THERMAL
IMPED
ANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
3,000
1,000
500
100
50
10
80
70
60
50
40
30
20
10
0
C
,CAP
A
CIT
ANCE
(
P
F)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800 1000 1200 1400
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
F
MAX
,OPERA
TING
FREQ
UENCY
(kHz)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
T
J
= 125
°C
T
C
= 75
°C
D = 50 %
V
CE
= 800V
R
G
= 5
Ω
140
50
10
5
1
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, f max2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - P cond
E
on2 + E off
f
max2 =
P
diss =
T
J - T C
R θJC
C
oes
C
res
C
ies
0.178
0.182
0.0101
0.136
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (
°C)
Case temperature. (
°C)
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t
2
t2
t1
P
DM
Note:
052-6268
Rev
C
1
1-2007
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT25GT120SR | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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