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参数资料
| 型号： | APT30GP60BDQ1 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 438K |
| 代理商： | APT30GP60BDQ1 |
050-7451
Rev
A
5-2005
APT30GP60BDQ1(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10,000
1,000
500
100
50
10
1
140
120
100
80
60
40
20
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100 200
300
400
500 600
700
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0
10
20
30
40
50
60
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 400V
RG = 5
300
100
50
10
C
ies
C
0es
C
res
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
0.0196
0.107
0.144
0.005F
0.0132F
0.135F
Power
(watts)
Junction
temp. (°C)
RC MODEL
Case temperature. (°C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT30GP60BDQ1 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT30GP60JDF1 | 67 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT30GT60AR | 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AE |
| APT30GT60KR | 64 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT30GU60JU3 | 67 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| APT30GP60LDL | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
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