型号: | APT30GP60BDQ1 |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
封装: | TO-247, 3 PIN |
文件页数: | 8/9页 |
文件大小: | 438K |
代理商: | APT30GP60BDQ1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT30GP60BDQ1 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT30GP60JDF1 | 67 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT30GT60AR | 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AE |
APT30GT60KR | 64 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
APT30GU60JU3 | 67 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT30GP60BDQ1G | 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
APT30GP60BG | 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
APT30GP60JD1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Volts:600V VF/Vce(ON):2.7V ID(cont):32Amps|Ultrafast IGBT Family |
APT30GP60JDQ1 | 功能描述:IGBT 600V 67A 245W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APT30GP60LDL | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |