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参数资料
| 型号： | APT45GP120B2DQ2 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 113 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | T-MAX, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 436K |
| 代理商： | APT45GP120B2DQ2 |
050-7433
Rev
A
6-2005
APT45GP120B2DQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10,000
1,000
100
10
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Reverse Bias Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
10 20
30
40
50
60
70
80
90
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 800V
RG = 5
170
100
50
10
5
1
C
ies
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
C
oes
C
res
0.0296
0.087
0.0837
0.000782
0.0150
0.185
Power
(watts)
Junction
temp. (°C)
RC MODEL
Case temperature. (°C)
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT45GP120JDF2 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT47N60SCF | 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT47N60SCFG | 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT47N60BCF | 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT47N65BC3 | 47 A, 650 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT45GP120B2DQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 113A 625W TMAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT45GP120BG | 功能描述:IGBT 1200V 100A 625W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT45GP120J | 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT45GP120JDQ2 | 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT45GR65B | 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:92A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):168A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:357W 开关能量:900μJ（开），580μJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 测试条件:433V，45A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 |
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