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参数资料
型号： APT45GP120JDQ2
厂商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装： ISOTOP-4 PIN
文件页数： 7/9页
文件大小： 455K
代理商： APT45GP120JDQ2
050-7445
Rev
A
6-2005
APT45GP120JDQ2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C = 100°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J = 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F(AV)
I
F(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F = 45A
Forward Voltage
I
F = 90A
I
F = 40A, TJ = 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
2.9
3.56
2.28
APT45GP120JDQ2
26
37
210
DYNAMIC CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
25
-
300
-
360
-
4
-
380
-
1700
-
8
-
160
-
2550
-
28
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F = 30A, diF/dt = -200A/s
V
R = 800V, TC = 25°C
I
F = 30A, diF/dt = -200A/s
V
R = 800V, TC = 125°C
I
F = 30A, diF/dt = -1000A/s
V
R = 800V, TC = 125°C
I
F = 1A, diF/dt = -100A/s, VR = 30V, TJ = 25°C
FIGURE 25b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 25a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.9
0.05
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
0.219
0.468
0.341
0.00306
0.0463
0.267
Power
(watts)
Junction
temp(°C)
RC MODEL
Case temperature(°C)
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PDF描述
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APT45GR65B2DU30 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 测试条件:433V，45A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:80ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1
APT45GR65BSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 测试条件:433V，45A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:80ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1
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