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参数资料
| 型号： | APT45GP120JDQ2 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 PIN |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 455K |
| 代理商： | APT45GP120JDQ2 |
050-7445
Rev
A
6-2005
APT45GP120JDQ2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4
3
1
2
5
Zero
1
2
3
4
diF/dt - Rate of Diode Current Change Through Zero Crossing.
IF - Forward Conduction Current
IRRM - Maximum Reverse Recovery Current.
trr - Reverse Recovery Time, measured from zero crossing where diode
Qrr - Area Under the Curve Defined by IRRM and trr.
current goes from positive to negative, to the point at which the straight
line through IRRM and 0.25 IRRM passes through zero.
Figure 33. Diode Test Circuit
Figure 34, Diode Reverse Recovery Waveform and Definitions
0.25 IRRM
PEARSON 2878
CURRENT
TRANSFORMER
diF/dt Adjust
30H
D.U.T.
+18V
0V
Vr
trr/Qrr
Waveform
APT10035LLL
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
* Emitter/Anode
Collector/Cathode
Gate
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
* Emitter/Anode
Emitter/Anode terminals are
shorted internally. Current
handling capability is equal
for either Emitter/Anode terminal.
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
ISOTOP is a Registered Trademark of SGS Thomson.
SOT-227 (ISOTOP) Package Outline
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT5010B2FLC | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5010JFLC | 44 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5010JFLL | 41 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5010JFLL | 41 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5010JLLU2 | 41 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT45GR65B | 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:92A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):168A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:357W 开关能量:900μJ（开），580μJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 测试条件:433V，45A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 |
| APT45GR65B2DU30 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 测试条件:433V，45A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:80ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 |
| APT45GR65BSCD10 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 测试条件:433V，45A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:80ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 |
| APT45GR65SSCD10 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 测试条件:433V，45A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:80ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 |
| APT45M100J | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:- 标准包装:10 系列:* |
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