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参数资料
| 型号： | APT47N65BC3 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 47 A, 650 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封装： | D3PAK-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | APT47N65BC3 |
050-7202
Rev
A
3-2009
Typical Performance Curves
APT47N65BC3
R
DS
(ON),
DRAIN-T
O-SOURCE
ON
RESIST
ANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
(NORMALIZED)
V
GS
(TH),
THRESHOLD
VOL
TAGE
BV
DSS
,DRAIN-T
O-SOURCE
BREAKDOWN
R
DS
(ON),
DRAIN-T
O-SOURCE
ON
RESIST
ANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
(NORMALIZED)
VOL
TAGE
(NORMALIZED)
4.5V
5V
5.5V
4V
V
GS =15 & 10V
V
GS=10V
V
GS=20V
T
J = +125°C
T
J = +25°C
T
J = -55°C
V
DS> ID (ON) x RDS (ON)MAX.
250μSEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 2, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
FIGURE 3, LOW VOLTAGE OUTPUT CHARACTERISTICS
V
GS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE 4, TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 5, R
DS
(ON) vs DRAIN CURRENT
T
C, CASE TEMPERATURE (°C)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
FIGURE 7, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE
FIGURE 9, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURE
6V
6.5V
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
7
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
25
50
75
100
125
150
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
NORMALIZED TO
V
GS = 10V @ 23.5A
120
100
80
60
40
20
0
50
40
30
20
10
0
3
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1.40
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
I
D = 47A
V
GS = 10V
0.345
0.455
0.00375
0.101
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (
°C)
Case temperature
.1426
.1566
.0084
.1333
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