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参数资料
| 型号： | APT47N65BC3 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 47 A, 650 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封装： | D3PAK-3 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | APT47N65BC3 |
050-7202
Rev
A
3-2009
Typical Performance Curves
APT47N65BC3
TO
-247 Package Outline
IC
D.U.T.
APT30DF60
VCE
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
VDD
G
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125
C
Collector Current
Collector Voltage
5 %
t
r
90%
10%
t
d(on)
5%
10%
Gate Voltage
Switching Energy
T
J = 125
C
90%
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
0
10%
90%
t
f
t
d(off)
Switching Energy
Microsemi’s products are covered by one or more of U.S. patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583
4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
Drain
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT5010B2VFR | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT5010B2VRG | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5010B2VR | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5010JLLU2 | 41 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APT47N65SCS3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 |
| APT48M80B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT48M80L | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT4F120K | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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