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参数资料
型号： APT47N65BC3
厂商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类： JFETs
英文描述： 47 A, 650 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封装： D3PAK-3
文件页数： 4/5页
文件大小： 179K
代理商： APT47N65BC3
050-7202
Rev
A
3-2009
APT47N65BC3
Typical Performance Curves
C
rss
C
iss
C
oss
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
FIGURE 11, CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Q
g, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
FIGURE 13, SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
V
GS
,GA
TE-T
O-SOURCE
VOL
TAGE
(VOL
TS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I
DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
1
10
100
600
0
10
20
30
40
50
0
50
100 150 200 250 300 350 400
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
188
100
50
10
5
1
16
12
8
4
0
T
C =+25°C
T
J =+150°C
SINGLE PULSE
10mS
1mS
100μS
T
J =+150°C
T
J =+25°C
I
D (A)
I
D (A)
FIGURE 14, DELAY TIMES vs CURRENT
FIGURE 15, RISE AND FALL TIMES vs CURRENT
I
D (A)
R
G, GATE RESISTANCE (Ohms)
FIGURE 16, SWITCHING ENERGY vs CURRENT
FIGURE 17, SWITCHING ENERGY VS. GATE RESISTANCE
V
DD = 400V
R
G = 5
W
T
J = 125°C
L = 100μH
E
on
E
off
t
r
t
f
SWITCHING
ENERGY
(
m
J)
t
d(on)
and
t
d(of
f)
(ns)
SWITCHING
ENERGY
(
m
J)
t
r
and
t
f
(ns)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
DD = 400V
I
D = 47A
T
J = 125°C
L = 100μH
E
ON includes
diode reverse recovery.
V
DS= 300V
V
DS= 120V
V
DS= 480V
I
D = 47A
t
d(on)
t
d(off)
E
on
E
off
350
300
250
200
150
100
50
0
2500
2000
1500
1000
500
0
V
DD = 400V
R
G = 5
W
T
J = 125°C
L = 100μH
V
DD = 400V
R
G = 5
W
T
J = 125°C
L = 100μH
E
ON includes
diode reverse recovery.
30,000
10,000
1,000
100
10
200
100
10
1
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
120
100
80
60
40
20
0
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
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PDF描述
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