参数资料
型号: APT50GF60BR
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封装: TO-247, 3 PIN
文件页数: 5/5页
文件大小: 82K
代理商: APT50GF60BR
052-6207
Rev
E
6-2000
APT50GF60BR
T0-247 Package Outline
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
3.55 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
Collector
(Cathode)
Emitter
(Anode)
Gate
Collector
(Cathode)
D.U.T.
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
VCC = 0.66 VCES
Ets = Eon + Eoff
VCE(on)
td(off)
td(on)
tf
tr
1
Figure 16, Switching Loss Test Circuit and Waveforms
Figure 17, Resistive Switching Time Test Circuit and Waveforms
2
VCC
50 F
600V
RG = 10 Ohms
RL =
.66 VCES
I C2
10%
90%
VGE(on)
VCE(off)
VGE(off)
2
IC
1
From
Gate Drive
Circuitry
0.1 F
1KV
D.U.T.
100uH
A
VCC
IC
Inductor
Pre-Charge
IC
D.U.T. VCE(SAT)
VCC
VCLAMP
90%
10%
90%
10%
90%
Eoff
tf
td(off)
td(on)
tr
Eon
10
DRIVER*
相关PDF资料
PDF描述
APT50GF60JU2 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GF60JU3 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GP60B2DF2 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GP90B2DF2 100 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GP90J 80 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
相关代理商/技术参数
参数描述
APT50GF60HR 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT50GF60JCU2 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Microsemi APT50GF60JCU2 IGBTs
APT50GF60JU2 功能描述:IGBT 600V 75A 277W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APT50GF60JU3 功能描述:IGBT 600V 75A 277W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APT50GF60LRD 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.