参数资料
型号: APT50M75JLLU3
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: JFETs
英文描述: 51 A, 500 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装: ISOTOP-4
文件页数: 4/8页
文件大小: 494K
代理商: APT50M75JLLU3
APT50M75JLLU3
A
PT
50M
75J
L
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4 – 8
相关PDF资料
PDF描述
APT50M75JLL 51 A, 500 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT50M75JLL 51 A, 500 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT50M75WLL 48 A, 500 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-267AA
APT50M80B2VR 58 A, 500 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT50M80B2VRG 58 A, 500 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
APT50M75LFLL 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT50M75LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 57A TO-264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 7® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
APT50M75LLL 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS
APT50M75LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 57A TO-264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 7® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
APT50M80 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.