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参数资料
| 型号： | APT60GF120JRD |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | APT60GF120JRD |
052-6259
Rev
B
8-2002
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE
= 15V)
FIGURE 2, Output Characteristics (V
GE
= 10V)
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
T
J
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
5T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
BV
CES
,
COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
TC=25°C
TJ = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 10V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = -55°C
IC = 80A
TJ = 25°C
TC=125°C
TC=25°C
TC=125°C
VCE= 960V
VCE= 600V
VCE= 240V
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
IC=30A
IC= 60A
IC= 120A
APT60GF120JRD
TC=-55°C
0
1234
0
.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
100
120
140
160
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
120
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
IC=120A
IC= 30A
IC= 60A
120
100
80
60
40
20
0
350
300
250
200
150
100
50
0
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1.2
1.15
1.1
1.05
1.0
0.95
0.90
0.85
0.8
Graph does not apply
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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