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参数资料
型号： APT60GF120JRD
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装： ISOTOP-4
文件页数： 4/9页
文件大小： 124K
代理商： APT60GF120JRD
052-6259
Rev
B
8-2002
APT60GF120JRD
VCE = 800V
RG = 5
L = 100 H
VGE = 15V
TJ=25°C
TJ=125°C
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
VCE = 800V
VGE = +15V
RG = 5
VCE = 800V
VGE = +15V
RG = 5
VCE = 800V
VGE = +15V
RG = 5
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
ON2
,TURN
ON
ENERGY
LOSS
(J)
t r,
RISE
TIME
(ns)
t d(ON)
,TURN-ON
DELAY
TIME
(ns)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
OFF
,TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(J)
t f,
FALL
TIME
(ns)
t d
(OFF)
,TURN-OFF
DELAY
TIME
(ns)
10
20
30
40
50
60
70
0
20
40
60
80
100
120
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
10
20
30
40
50
60
70
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110120
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
0
10
20
30
-25
0
25
50
75
100
125
800
700
600
500
400
300
200
100
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
18000
16000
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
35000
30000
25000
20000
15000
10000
5000
0
70
60
50
40
30
20
10
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
35000
30000
25000
20000
15000
10000
5000
0
25000
20000
15000
10000
5000
0
Eon2 30A
Eon2 60A
Eoff 60A
Eoff 30A
Eoff 120A
Eoff 30A
Eoff60A
Eon2 30A
Eon2 60A
Eon2 120A
VCE = 800V
TJ = 25°C, TJ =125°C
RG = 5
L = 100 H
VGE= 15V
VCE = 800V
RG = 5
L = 100 H
VGE = 15V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
VCE = 800V
RG = 5
L = 100 H
VGE = 15V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
=125°C
T
J
= 25°C
VCE = 800V
VGE = +15V
TJ = 125°C
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PDF描述
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参数描述
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APT60GF60JU3 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
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