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参数资料
| 型号： | APT65GP60JDF2 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | APT65GP60JDF2 |
050-7441
Rev
C
9-2004
APT65GP60JDF2
TJ = 125°C
VR = 400V
15A
30A
60A
Q
rr
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
120
100
80
60
40
20
0
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
TJ = 150°C
40
35
30
25
20
15
10
5
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
30A
60A
15A
140
120
100
80
60
40
20
0
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
1
2
3
4
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
30A
15A
60A
TJ = 125°C
VR = 400V
trr
Qrr
trr
IRRM
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
1
10
100 200
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
250
200
150
100
50
0
TJ = 125°C
VR = 400V
VF, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-diF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 26. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 27. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-diF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-diF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 28. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 29. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 30. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 31. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
TJ = -55°C
TJ = 125°C
TJ = 150°C
TJ = 25°C
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