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参数资料
型号： APT65GP60L2DQ2
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封装： TO-264MAX, 3 PIN
文件页数： 4/9页
文件大小： 442K
代理商： APT65GP60L2DQ2
050-7454
Rev
A
6-2005
APT65GP60L2DQ2
V
GE =15V,TJ=125°C
V
GE =15V,TJ=25°C
V
CE = 400V
R
G = 5
L = 100 H
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
ON2
,TURN
ON
ENERGY
LOSS
(J)
t r,
RISE
TIME
(ns)
t d(ON)
,TURN-ON
DELAY
TIME
(ns)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
OFF
,TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(J)
t f,
FALL
TIME
(ns)
t d
(OFF)
,TURN-OFF
DELAY
TIME
(ns)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
ICE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
RG, GATE RESISTANCE (OHMS)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
V
CE = 400V
T
J = 25°C, TJ =125°C
R
G = 5
L = 100 H
160
140
120
100
80
60
40
20
0
140
120
100
80
60
40
20
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
V
GE = 15V
VCE = 400V
VGE = +15V
RG = 5
5
25
45
65
85
105 125
145
5
25
45
65
85
105
125 145
5
25
45
65
85
105
125
145
5
25
45
65
85
105 125
145
10
25
45
65
85
105
125 145
5
25
45
65
85
105
145
165
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
R
G = 5, L = 100H, VCE = 400V
R
G = 5, L = 100H, VCE = 400V
T
J = 25 or 125°C,VGE = 15V
35
30
25
20
15
10
5
0
140
120
100
80
60
40
20
0
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
10000
8000
6000
4000
2000
0
T
J = 125°C, VGE = 15V
T
J = 25°C, VGE = 15V
VCE = 400V
VGE = +15V
RG = 5
T
J = 125°C,VGE =15V
T
J = 25°C,VGE =15V
VCE = 400V
VGE = +15V
RG = 5
T
J = 125°C, VGE = 15V
T
J = 25°C, VGE = 15V
E
on2,130A
E
off,130A
E
on2,65A
E
off,65A
E
on2,32.5A
E
off
,32.5A
VCE = 400V
VGE = +15V
TJ = 125°C
E
on2,130A
E
off,130A
E
on2,65A
E
off,65A
E
on2,32.5A
E
off
,32.5A
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PDF描述
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APT65GP60L2DQ2G 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT65GP60L2DQ2 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT751R4BN 8.5 A, 750 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
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APT66F60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
APT66F60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
APT66M60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
APT66M60B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
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