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参数资料
| 型号： | APT65GP60L2DQ2 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封装： | TO-264MAX, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 442K |
| 代理商： | APT65GP60L2DQ2 |
050-7454
Rev
A
6-2005
APT65GP60L2DQ2
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
APT40DQ60
65GP60B2 @ 125C Eoff
Collector Voltage
Collector Current
T
Gate Voltage
tf
10%
90%
t
d(off)
90%
0
T
J = 125 °C
Switching Energy
Collector Current
Gate Voltage
Collector Voltage
tr
10%
90%
5%
td(on)
T
J = 125 °C
5 %
Switching Energy
10%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT65GP60L2DQ2G | 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT65GP60L2DQ2G | 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT65GP60L2DQ2 | 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT751R4BN | 8.5 A, 750 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT801R4BN | 8.5 A, 800 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT65GP60L2DQ2G | 功能描述:IGBT 600V 198A 833W TO264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT66F60B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT66F60L | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT66M60B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT66M60B2_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
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