- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36725 > APT75GN60LDQ3G 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT75GN60LDQ3G |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 433K |
| 代理商： | APT75GN60LDQ3G |
050-7620
Rev
B
10-2005
APT75GN60LDQ3(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
7,000
1,000
500
100
250
200
150
100
50
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100 200
300 400 500
600 700
C
oes
C
res
C
ies
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.5
0.1
0.05
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
0.0998
0.181
0.00438
0.153
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (°C)
Case temperature. (°C)
10
30
50
70
90
110
130
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 400V
RG = 1.0
100
50
10
5
1
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT75GN60LDQ3 | 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT75GP120JDQ3 | 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GP120JDQ3 | 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GT120JRDQ3 | 97 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GT120JU2 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT75GP120B2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT75GP120B2G | 功能描述:IGBT 1200V 100A 1042W TMAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT75GP120J | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi APT75GP120J IGBTs 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Microsemi 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227 |
| APT75GP120JDQ3 | 功能描述:IGBT 1200V 128A 543W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT75GT120JR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。