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参数资料
| 型号： | APT75GN60LDQ3G |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 433K |
| 代理商： | APT75GN60LDQ3G |
050-7620
Rev
B
10-2005
APT75GN60LDQ3(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
4
3
1
2
5
Zero
1
2
3
4
diF/dt - Rate of Diode Current Change Through Zero Crossing.
IF - Forward Conduction Current
IRRM - Maximum Reverse Recovery Current.
trr - Reverse Recovery Time, measured from zero crossing where diode
Qrr - Area Under the Curve Defined by IRRM and trr.
current goes from positive to negative, to the point at which the straight
line through IRRM and 0.25 IRRM passes through zero.
Figure 32. Diode Test Circuit
Figure 33, Diode Reverse Recovery Waveform and Definitions
0.25 IRRM
PEARSON 2878
CURRENT
TRANSFORMER
diF/dt Adjust
30H
D.U.T.
+18V
0V
trr/Qrr
Waveform
Vr
APT60GT60BR
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
TO-264(L) Package Outline
Dimensions in Millimeters and (Inches)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Collector
(Cathode)
Emitter
(Anode)
Gate
C
ol
le
ct
or
(C
at
ho
de
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT75GN60LDQ3 | 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT75GP120JDQ3 | 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GP120JDQ3 | 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GT120JRDQ3 | 97 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GT120JU2 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT75GP120B2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT75GP120B2G | 功能描述:IGBT 1200V 100A 1042W TMAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT75GP120J | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi APT75GP120J IGBTs 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Microsemi 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227 |
| APT75GP120JDQ3 | 功能描述:IGBT 1200V 128A 543W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT75GT120JR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT |
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