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参数资料
| 型号： | APTC60SKM35T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 72 A, 600 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 313K |
| 代理商： | APTC60SKM35T1G |
APTC60SKM35T1G
APT
C
60SKM35T
1G
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7
www.microsemi.com
5 – 6
0.8
0.9
1.0
1.1
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25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
Breakdown Voltage vs Temperature
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ON resistance vs Temperature
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TJ, Junction Temperature (°C)
R
DS
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),
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ce
ON
r
esi
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an
ce
(N
or
m
al
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VGS=10V
ID= 72A
Threshold Voltage vs Temperature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
V
GS
(TH)
,T
h
resho
ld
V
o
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age
(N
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m
ali
ze
d)
Maximum Safe Operating Area
10 ms
1 ms
100 s
1
10
100
1000
1
10
100
1000
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cur
ren
t
(A)
limited by RDSon
Single pulse
TJ=150°C
TC=25°C
Ciss
Crss
Coss
10
100
1000
10000
100000
0
1020
3040
50
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C,
Cap
aci
tan
ce
(p
F)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
VDS=120V
VDS=300V
VDS=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
100
200
300
400
500
600
Gate Charge (nC)
V
GS
,Ga
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So
u
rce
Vo
lt
ag
e(
V
)
Gate Charge vs Gate to Source Voltage
ID=72A
TJ=25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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