参数资料
型号: APTGF100DA120TG
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 135 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装: ROHS COMPLIANT, MODULE-12
文件页数: 4/6页
文件大小: 311K
代理商: APTGF100DA120TG
APTGF100DA120TG
A
P
T
G
F
100
D
A
120T
G
R
ev
2
N
ove
m
be
r,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
80
160
240
320
400
02468
Ic
,Co
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
01
234
Ic
,Co
lle
ct
o
r
Cu
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
500
600
0
4
8
12
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,Co
lle
ct
o
r
Cu
rr
e
n
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=240V
VCE=600V
VCE=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
100
200
300
400
500
600
700
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
at
et
o
E
m
it
te
r
V
o
lt
ag
e(
V
)
IC = 100A
TJ = 25°C
Ic=200A
Ic=100A
Ic=50A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
101112131415
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
V
CE
,C
o
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e(
V
)
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=200A
Ic=100A
Ic=50A
0
1
2
3
4
5
6
-50
-25
0
255075
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,Co
lle
c
to
r
to
E
m
it
te
r
V
o
lt
a
g
e(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
-50
-25
0
255075
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
Co
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
r
Br
e
ak
d
o
w
n
V
o
lt
ag
e
(N
o
rm
a
liz
e
d
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
-50 -25
0
255075
100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,DC
C
o
lle
ct
o
rCu
rr
en
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
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PDF描述
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