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参数资料
| 型号： | APTGF100DA120TG |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 135 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MODULE-12 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | APTGF100DA120TG |
APTGF100DA120TG
A
P
T
G
F
100
D
A
120T
G
–
R
ev
2
N
ove
m
be
r,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
6 - 6
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
1020304050
C
,C
apa
ci
ta
nc
e
(
pF)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0
50
100
150
200
250
0400
800
1200
I C
,Co
lle
ct
o
rCu
rr
e
n
t(
A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
er
m
a
lI
m
pe
da
n
ce
(
°C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
10
30
50
70
90
110
IC, Collector Current (A)
Operating Frequency vs Collector Current
F
m
ax
,O
p
er
ati
n
g
F
req
u
en
c
y(k
H
z)
VCE = 600V
D = 50%
RG = 2.5
TJ = 125°C
TC = 75°C
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| APTGF200SK120D3G | IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTGF100SK120TG | 功能描述:IGBT 1200V 135A 568W SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF10X120E2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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