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参数资料
| 型号： | APTGF100DA120TG |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 135 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MODULE-12 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | APTGF100DA120TG |
APTGF100DA120TG
A
P
T
G
F
100
D
A
120T
G
–
R
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2
N
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m
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r,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
VGE = 15V
25
30
35
40
45
0
50
100
150
200
250
ICE, Collector to Emitter Current (A)
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Turn-
O
n
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Turn-On Delay Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 2.5
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
200
250
300
350
400
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50
100
150
200
250
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
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ff
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T
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D
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VCE = 600V
RG = 2.5
VGE=15V
20
60
100
140
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50
100
150
200
250
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
ise
T
im
e
(n
s)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 2.5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
20
30
40
50
0
50
100
150
200
250
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,F
all
T
im
e(
n
s
)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 600V, VGE = 15V, RG = 2.5
TJ=25°C,
VGE=15V
TJ=125°C,
VGE=15V
0
8
16
24
32
40
48
56
0
50
100
150
200
250
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
E
on,
Turn-
O
n
E
n
e
rgy
Los
s(
m
J
)
VCE = 600V
RG = 2.5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
4
8
12
16
0
50
100
150
200
250
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
o
ff
,Turn-
of
f
E
n
er
gy
Los
s
(m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 2.5
Eon, 100A
Eoff, 100A
Eon, 50A
Eoff, 50A
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (Ohms)
S
w
it
ch
in
g
E
n
e
rg
y
L
o
sse
s
(m
J
)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
VCE = 600V
VGE = 15V
TJ= 125°C
Eon, 100A
Eoff, 100A
Eon, 50A
Eoff, 50A
0
4
8
12
16
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
S
w
it
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E
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Los
se
s
(
m
J)
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 2.5
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