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参数资料
| 型号： | APTGF150A60T3AG |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | APTGF150A60T3AG |
APTGF150A60T3AG
APT
G
F150A60T
3AG
–
Rev
0
July,
2008
www.microsemi.com
2 – 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
250
A
Tj = 25°C
2
2.5
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 200A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 1.5mA
4.5
5.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
9
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V ; VCE = 25V
f = 1MHz
0.8
nF
QG
Gate charge
VGE= 15V ; VCE=300V
IC=200A
480
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
25
Tr
Rise Time
10
Td(off)
Turn-off Delay Time
130
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 200A
RG = 1.5Ω
20
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
25
Tr
Rise Time
11
Td(off)
Turn-off Delay Time
150
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 200A
RG = 1.5Ω
30
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
2
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 200A
RG = 1.5Ω
Tj = 125°C
6
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
900
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
35
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 125°C
600
A
IF
DC Forward Current
Tc = 100°C
120
A
IF = 120A
1.7
2.3
IF = 240A
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 120A
Tj = 125°C
1.4
V
Tj = 25°C
70
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
140
ns
Tj = 25°C
200
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 120A
VR = 400V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
1380
nC
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