参数资料
型号: APTGF150A60T3AG
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装: ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件页数: 5/5页
文件大小: 201K
代理商: APTGF150A60T3AG
APTGF150A60T3AG
APT
G
F150A60T
3AG
Rev
0
July,
2008
www.microsemi.com
5 – 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
0.5
1
1.5
2
2.5
VF (V)
I F
(A)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
40
80
120
160
200
240
0
50
100
150
200
250
300
IC (A)
Fm
ax,
Operati
ng
F
requen
cy
(kHz)
VCE=300V
D=50%
RG=1.5
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rma
lIm
p
e
da
n
c
e
(
°C
/W
)
Diode
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
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