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参数资料
| 型号： | APTGF165DA60D1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, D1, 7 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | APTGF165DA60D1G |
APTGF165DA60D1G
APT
G
F165DA60D1G
–
Rev
1
Decem
ber,
2009
www.microsemi.com
3- 4
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.16
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.30
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
4000
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
For terminals
M5
2
3.5
Torque Mounting torque
To Heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
180
g
D1 Package outline (dimensions in mm)
Typical Performance Curve
hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
70
0
50
100
150
200
250
IC (A)
Fmax,
O
p
era
ting
Fr
equency
(
k
H
z
)
VCE=300V
D=50%
RG=16
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
VF (V)
I F
(A
)
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Ther
m
a
lI
m
p
e
dance
(
°C
/W
)
Diode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF165SK60D1 | 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF165SK60D1 | 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF180A60TG | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF180A60T | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF180A60T | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF165SK60D1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF165SK60D1G | 功能描述:IGBT 600V 230A 730W D1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF180A60D3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF180A60T | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module |
| APTGF180A60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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