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参数资料
| 型号： | APTGF165DA60D1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, D1, 7 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | APTGF165DA60D1G |
APTGF165DA60D1G
APT
G
F165DA60D1G
–
Rev
1
Decem
ber,
2009
www.microsemi.com
4- 4
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
00.5
11.5
22.5
33.5
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
100
200
300
400
01
234
5
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
56
78
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Err
0
5
10
15
20
0
100
200
300
400
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 16
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Err
0
5
10
15
20
25
30
0
20
406080
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 200A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Safe Operating Area
0
100
200
300
400
500
0
100
200
300
400
500
600
VCE (V)
I C
(A)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=16
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0.18
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lIm
pe
danc
e
(°
C/W)
IGBT
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| APTGF180A60TG | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF180A60T | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTGF165SK60D1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module |
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| APTGF180A60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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