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参数资料
| 型号： | APTGF200U60D4G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 250 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-4 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | APTGF200U60D4G |
APTGF200U60D4
A
P
T
G
F
200
U
60D
4–
R
ev
1
J
une
,2005
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.17
RthJC
Junction to Case
Diode
0.29
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
M6
3
5
Torque Mounting torque
M4
1
2
N.m
Wt
Package Weight
420
g
Package outline (dimensions in mm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF20X60E2 | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF20X60P2 | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF20X60E2 | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF20X60P2 | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF20X60E2G | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| APTGF20X60BTP2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF20X60E2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF20X60E2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF20X60P2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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