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参数资料
| 型号： | APTGF25A120T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | APTGF25A120T1G |
CGY888C
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 28 September 2010
2 of 8
NXP Semiconductors
CGY888C
34 dB, 870 MHz GaAs push-pull forward amplifier
1.4 Quick reference data
[1]
Direct Current (DC).
2.
Pinning information
3.
Ordering information
4.
Limiting values
Table 1.
Quick reference data
Bandwidth to 870 MHz; VB = 24 V (DC); Tmb =35 C; unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Gp
power gain
f = 45 MHz
-
34
-
dB
f = 870 MHz
34.5
-
36.5
dB
Itot
total current
[1] 260
280
300
mA
Table 2.
Pinning
Pin
Description
Simplified outline
Graphic symbol
1
input
2, 3
common
5+VB
7, 8
common
9output
9
13 57
23 78
5
9
1
sym095
Table 3.
Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
CGY888C
-
rectangular single-ended package; aluminium flange;
2 vertical mounting holes; 2
6-32 UNC and 2 extra
horizontal mounting holes; 7 gold-plated in-line leads
SOT115J
Table 4.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
Conditions
Min Max
Unit
VB
supply voltage
-
30
V
Vi(RF)
RF input voltage
single tone
-
70
dBmV
VESD
electrostatic discharge voltage Human Body Model (HBM);
According JEDEC standard
22-A114E
-2000 V
Biased; According IEC61000-4-2
-
2000 V
Tstg
storage temperature
40 +100 C
Tmb
mounting base temperature
20 +100 C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF25H120T1G | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF25H120T3G | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300A120G | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300DA120D3G | IGBT |
| APTGF300DU120G | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF25DDA120T3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF25DDA120T3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT DL BST CHOP SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF25DSK120T3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF25DSK120T3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT DL BCK CHOP SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF25H120T1G | 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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