参数资料
型号: APTGF25A120T1G
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装: ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件页数: 5/5页
文件大小: 234K
代理商: APTGF25A120T1G
CGY888C
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Product data sheet
Rev. 4 — 28 September 2010
5 of 8
NXP Semiconductors
CGY888C
34 dB, 870 MHz GaAs push-pull forward amplifier
7.
Abbreviations
8.
Revision history
Table 6.
Abbreviations
Acronym
Description
CATV
Community Antenna TeleVision
DC
Direct Current
GaAs
Gallium-Arsenide
MMIC
Monolithic Microwave Integrated Circuit
NTSC
National Television Standard Committee
PAL
Phase Alternating Line
RF
Radio Frequency
UNC
UNified Coarse
Table 7.
Revision history
Document ID
Release date
Data sheet status
Change notice
Supersedes
CGY888C v.4
20100928
Product data sheet
-
CGY888C v.3
Modifications:
Package outline drawings have been updated to the latest version.
Legal texts have been updated.
CGY888C v.3
20091014
Product data sheet
-
CGY888C v.2
20090921
Product data sheet
-
CGY888C v.1
20080619
Product data sheet
-
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
APTGF25DDA120T3 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module
APTGF25DDA120T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT DL BST CHOP SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APTGF25DSK120T3 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF25DSK120T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT DL BCK CHOP SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APTGF25H120T1G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B