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参数资料
| 型号： | APTGF25A120T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | APTGF25A120T1G |
CGY888C
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 28 September 2010
3 of 8
NXP Semiconductors
CGY888C
34 dB, 870 MHz GaAs push-pull forward amplifier
5.
Characteristics
[1]
Gp at 870 MHz minus Gp at 45 MHz.
[2]
Flatness straight line (peak to valley).
[3]
f = 55.25 MHz to 745.25 MHz; Vo = 44 dBmV, flat output level.
[4]
f = 49.75 MHz to 847.25 MHz; Vo = 44 dBmV, flat output level.
[5]
Direct Current (DC).
Table 5.
Characteristics
Bandwidth to 870 MHz; VB = 24 V (DC); Tmb =35 C; unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Gp
power gain
f = 45 MHz
-
34
-
dB
f = 870 MHz
34.5
-
36.5
dB
SLsl
slope straight line
f = 45 MHz to 870 MHz
[1] -1.5
-dB
FL
flatness of frequency response
f = 45 MHz to 870 MHz
[2] -0.25
-dB
CTB
composite triple beat
112 NTSC channels
[3] --
65
dBc
98 PAL channels
[4] -
68
-
dBc
CSO
composite second-order distortion
112 NTSC channels
[3] --
63
dBc
98 PAL channels
[4] -
66
-
dBc
Xmod
cross modulation
112 NTSC channels
[3] -
72
-
dB
RLin
input return loss
f = 45 MHz to 320 MHz
20
-
dB
f = 320 MHz to 870 MHz
18
-
dB
RLout
output return loss
f = 45 MHz to 320 MHz
20
-
dB
f = 320 MHz to 870 MHz
17
-
dB
NF
noise figure
f = 50 MHz
-
3.5
4.0
dB
f = 870 MHz
-
4.0
5.0
dB
Itot
total current
[5] 260
280
300
mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF25H120T1G | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF25H120T3G | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300A120G | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300DA120D3G | IGBT |
| APTGF300DU120G | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF25DDA120T3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF25DDA120T3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT DL BST CHOP SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF25DSK120T3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF25DSK120T3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT DL BCK CHOP SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF25H120T1G | 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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