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参数资料
| 型号： | APTGF25X120T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | APTGF25X120T3G |
APTGF25X120T3G
APT
G
F25X120T
3G
–
Rev
0
July,
2007
www.microsemi.com
4- 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
012
3
4
5
678
Ic
,C
o
ll
e
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
4
8
12
16
20
00.5
1
1.5
22.5
3
3.5
Ic,
Col
lect
o
rCurrent
(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
120
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
ll
e
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=240V
VCE=600V
VCE=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
30
60
90
120
150
180
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
a
te
to
E
m
itter
V
o
lt
ag
e
(V
)
IC = 25A
TJ = 25°C
Ic=50A
Ic=25A
Ic=12.5A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1011
12
13141516
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
V
CE
,Collec
tor
to
Em
it
te
rV
o
lt
ag
e
(
V
)
TJ = 125°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=50A
Ic=25A
Ic=12.5A
0
1
2
3
4
5
6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,Co
ll
ec
to
rto
Em
it
te
rV
o
lt
ag
e
(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
-50
-25
0
25
50
75
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
ll
ec
to
rt
o
E
m
it
te
rB
reakd
o
w
n
V
o
lt
ag
e
(N
ormaliz
e
d
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,
DC
Co
ll
ect
o
rCu
rr
e
n
t(A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF300A120D3G | IGBT |
| APTGF300DA120G | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300DU120 | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300DU120 | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300SK120D3G | IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF300A120 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module |
| APTGF300A120AG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF300A120D3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF300A120G | 功能描述:POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF300A120T6G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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