参数资料
型号: APTGF50DH60T1G
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装: ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
代理商: APTGF50DH60T1G
APTGF50DH60T1G
APT
G
F50DH60T1G
Rev
0
April,
2009
www.microsemi.com
6 – 7
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
1020
30
4050
C
,Capaci
tan
ce
(p
F)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
er
m
a
lI
m
pe
dan
ce
C/
W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
hard
switching
ZCS
ZVS
0
40
80
120
160
200
240
0
2040
6080
100
IC, Collector Current (A)
F
max
,Op
erati
n
g
Fr
eq
u
e
ncy
(kHz
)
VCE = 400V
D = 50%
RG = 2.7
TJ = 125°C
TC= 75°C
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PDF描述
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APTGF50DSK120T3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3
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