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参数资料
| 型号： | APTGF660U60D4G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 825 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODUL-4 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | APTGF660U60D4G |
APTGF660U60D4G
APT
G
F660U60D4G
–
Rev
2
July,
2008
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
500
A
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
1
mA
Tj = 25°C
1.95
2.45
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 800A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 16mA
4.5
5.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
2400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
36
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1MHz
3.2
nF
QG
Gate charge
VGE=15V, IC=800A
VCE=300V
2
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
150
Tr
Rise Time
72
Td(off)
Turn-off Delay Time
530
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 800A
RG = 16Ω
40
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
160
Tr
Rise Time
75
Td(off)
Turn-off Delay Time
550
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 800A
RG = 16Ω
50
ns
Eon
Turn on Energy
Tj = 125°C
36
mJ
Eoff
Turn off Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 800A
RG = 16Ω
Tj = 125°C
33
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
3600
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
750
IRRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR = 600V
Tj = 125°C
1000
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
800
A
Tj = 25°C
1.25
1.6
VF
Diode Forward Voltage
IF = 800A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.2
V
Tj = 25°C
150
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
250
ns
Tj = 25°C
57
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 125°C
80
C
Tj = 25°C
11.6
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 800A
VR = 300V
di/dt =7000A/s
Tj = 125°C
22.8
mJ
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