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参数资料
| 型号： | APTGF660U60D4G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 825 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODUL-4 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | APTGF660U60D4G |
APTGF660U60D4G
APT
G
F660U60D4G
–
Rev
2
July,
2008
www.microsemi.com
5- 5
hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
70
0
200
400
600
800
1000
IC (A)
F
m
ax,
O
p
erati
ng
Frequency
(kHz
)
VCE=300V
D=50%
RG=16
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
400
800
1200
1600
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
VF (V)
I F
(A
)
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
a
lI
m
pedance
(
°C
/W
)
Diode
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF75DSK120T | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75DSK120T | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75SK60D1 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75SK60D1G | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
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