参数资料
型号: APTGF660U60D4G
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 825 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装: MODUL-4
文件页数: 3/5页
文件大小: 198K
代理商: APTGF660U60D4G
APTGF660U60D4G
APT
G
F660U60D4G
Rev
2
July,
2008
www.microsemi.com
3- 5
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.044
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.085
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
M6
3
5
Torque Mounting torque
M4
1
2
N.m
Wt
Package Weight
350
g
D4 Package outline (dimensions in mm)
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