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参数资料
| 型号： | APTGF90DU60T |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Dual common source NPT IGBT Power Module |
| 中文描述： | 双共源不扩散核武器条约IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 306K |
| 代理商： | APTGF90DU60T |
APTGF90DU60T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 6
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
0.3
0.65
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
Torque Mounting torque
Wt
Package Weight
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
R
25
Resistance @ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.16 K
R
T
exp
2500
V
T
J
T
STG
T
C
-40
-40
-40
150
125
100
4.7
160
°C
To Heatsink
M5
N.m
g
Min
Typ
68
4080
Max
Unit
k
K
T
T
B
R
1
1
25
85
/
25
25
Package outline
T: Thermistor temperature
R
T
: Thermistor value at T
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTGF90H60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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