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参数资料
| 型号： | APTGF90DU60T |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Dual common source NPT IGBT Power Module |
| 中文描述： | 双共源不扩散核武器条约IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 306K |
| 代理商： | APTGF90DU60T |
APTGF90DU60T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
6 - 6
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
10
20
30
40
50
C
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
0
50
100
150
200
250
300
350
0
200
400
600
800
I
C
,
Minimum Switching Safe Operating Area
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
0.01
0.1
1
10
T
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
0
20
40
60
80
100
120
20
40
60
80
100
120
I
C
, Collector Current (A)
F
V
CE
= 400V
D = 50%
R
G
= 5
T
J
= 125°C
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| APTGF90DU60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL SOURCE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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| APTGF90H60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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