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参数资料
| 型号： | APTGT100DU120T |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-12 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 278K |
| 代理商： | APTGT100DU120T |
APTM10SKM05T
A
P
T
M
10S
K
M
05T
–R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 6
Typical Performance Curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.18
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lI
m
pe
da
nc
e
(
°C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
6V
7V
8V
0
200
400
600
800
1000
1200
0
4
8
1216202428
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Dr
a
in
Cu
rr
e
n
t
(A
)
Low Voltage Output Characteristics
VGS=15V, 10V & 9V
Transfert Characteristics
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
40
80
120
160
200
240
01
2345
67
VGS, Gate to Source Voltage (V)
I D
,D
ra
in
C
u
rr
e
nt
(
A
)
VDS > ID(on)xRDS(on)MAX
250s pulse test @ < 0.5 duty cycle
RDS(on) vs Drain Current
VGS=10V
VGS=20V
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
25
50
75 100 125 150 175 200
ID, Drain Current (A)
R
DS
(o
n
)D
rai
n
t
o
S
o
u
rce
O
N
R
e
si
st
an
ce
Normalized to
VGS=10V @ 125A
0
50
100
150
200
250
300
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
I D
,DC
D
ra
in
Cu
rr
e
n
t
(A
)
DC Drain Current vs Case Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT100DU170T | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100DU170T | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100H60T3 | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100H60T3 | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100SK120D1 | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT100DU120TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT100DU170T | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT100DU170TG | 功能描述:IGBT DUAL SOURCE 1700V 150A SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT100DU60T | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT100DU60TG | 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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