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参数资料
| 型号： | APTGT100DU120T |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-12 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 278K |
| 代理商： | APTGT100DU120T |
APTM10SKM05T
A
P
T
M
10S
K
M
05T
–R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
TJ, Junction Temperature (°C)
BV
DS
S,
D
ra
in
to
S
o
u
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B
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ak
dow
n
Vo
lt
a
g
e
(No
rm
a
li
z
ed
)
Breakdown Voltage vs Temperature
ON resistance vs Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
TJ, Junction Temperature (°C)
R
D
S
(o
n
),
D
rai
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to
S
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u
rce
O
N
resi
st
an
ce
(N
o
rma
li
ze
d
)
VGS=10V
ID= 125A
Threshold Voltage vs Temperature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
V
GS
(T
H
),
Thr
e
s
h
ol
d
V
o
lt
a
g
e
(N
or
m
a
li
ze
d)
Maximum Safe Operating Area
10ms
1ms
100s
10
100
1000
110
100
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,D
ra
in
C
u
rr
en
t(
A
)
Single pulse
TJ=150°C
limited by
RDSon
Ciss
Crss
Coss
1000
10000
100000
0
1020304050
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C
,C
a
p
aci
ta
n
ce
(
p
F
)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
VDS=20V
VDS=50V
VDS=80V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
200
400
600
800
1000
Gate Charge (nC)
V
GS
,G
a
te
to
S
o
u
rce
V
o
lt
ag
e
(V
)
Gate Charge vs Gate to Source Voltage
ID=250A
TJ=25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT100DU170T | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100DU170T | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100H60T3 | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100H60T3 | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100SK120D1 | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT100DU120TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT100DU170T | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT100DU60T | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT100DU60TG | 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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