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参数资料
| 型号： | APTGT20TL601G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | APTGT20TL601G |
APTGT20TL601G
APT
G
T
20T
L
601G
–
Rev0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
3- 6
CR1 to CR6 diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
150
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
350
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
20
A
Tj = 25°C
1.6
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 20A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
100
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
150
ns
Tj = 25°C
1.1
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 150°C
2.3
C
Tj = 25°C
0.23
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 20A
VR = 300V
di/dt =1600A/s
Tj = 150°C
0.50
mJ
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
3.25
°C/W
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
175
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M4
2.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
110
g
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PDF描述 |
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