参数资料
型号: APTGT20TL601G
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装: ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件页数: 4/6页
文件大小: 216K
代理商: APTGT20TL601G
APTGT20TL601G
APT
G
T
20T
L
601G
Rev0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
4- 6
SP1 Package outline (dimensions in mm)
See application note 1904 - Mounting Instructions for SP1 Power Modules on www.microsemi.com
Q1 to Q4 Typical performance curve
Hard
switching
0
20
40
60
80
0
5
10
15
20
25
30
I
C (A)
F
m
ax,
O
p
er
at
in
g
F
req
u
e
n
cy
(
k
H
z
)
V
CE=300V
D=50%
R
G=12
T
J=150°C
T
c=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
相关PDF资料
PDF描述
APTGT225DU170 340 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT225DU170 340 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT225SK170 340 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT225SK170 340 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT300DA60 430 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相关代理商/技术参数
参数描述
APTGT20TL60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT20X60T3G 功能描述:IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APTGT225A170 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT225A170G 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APTGT225DA170 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module