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参数资料
| 型号： | APTGT20TL601G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | APTGT20TL601G |
APTGT20TL601G
APT
G
T
20T
L
601G
–
Rev0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
6- 6
CR1 to CR6 Typical performance curve
Energy losses vs Collector Current
0
0.2
0.4
0.6
0.8
010
20
30
40
IF (A)
E
(m
J)
VCE = 300V
RG = 12
TJ = 150°C
0
0.125
0.25
0.375
0.5
10
30
50
70
Gate Resistance (ohms)
E
(m
J)
VCE = 300V
IC = 20A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=150°C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A)
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
Th
e
rm
a
lIm
p
e
da
nc
e
(
°C
/W)
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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