收藏本站
参数资料
型号： APTGT30SK170D1
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封装： MODULE-7
文件页数： 2/3页
文件大小： 185K
代理商： APTGT30SK170D1
APTGT30SK170D1
A
PT
G
T
30
SK
17
0D
1
–
R
ev
0
Ja
nu
ar
y,
20
04
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 1.5mA
1700
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1700V
3
mA
Tj = 25°C
2.0
2.4
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE = 15V
IC = 30A
Tj = 125°C
2.4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 1.5mA
5.2
5.8
6.4
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
2500
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1MHz
90
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
200
Tr
Rise Time
100
Td(off)
Turn-off Delay Time
750
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 30A
RG = 18
90
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
230
Tr
Rise Time
100
Td(off)
Turn-off Delay Time
850
Tf
Fall Time
115
ns
Eoff
Turn Off Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 30A
RG = 18
22
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Tj = 25°C
1.8
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 50A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.9
V
Tj = 25°C
8
Er
Reverse Recovery Energy
IF = 50A
VR = 900V
di/dt =990A/s Tj = 125°C
15
mJ
Tj = 25°C
18
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 50A
VR = 900V
di/dt =990A/s Tj = 125°C
29
C
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max Unit
IGBT
0.6
RthJC
Junction to Case
Diode
0.9
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
3500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
For terminals
M5
2
3.5
Torque Mounting torque
To Heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
180
g
相关PDF资料
PDF描述
APTGT30SK170T1G 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30TL60T3G 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35A120D1 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35A120D1G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35A120D1 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相关代理商/技术参数
参数描述
APTGT30SK170D1G 功能描述:IGBT 1700V 45A 210W D1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APTGT30SK170T1G 功能描述:IGBT 1700V 45A 210W SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APTGT30TL601G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk
APTGT30TL60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT30X60T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*