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参数资料
| 型号： | APTGT30SK170T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | APTGT30SK170T1G |
APTGT30SK170T1G
APTGT30SK
17
0T1G
–
Re
v0
Au
gus
t,2007
www.microsemi.com
5 – 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
00.5
1
1.522.5
3
VF (V)
I F
(A)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
10
203040
5060
IC (A)
Fm
ax,
Op
erati
n
g
F
req
uen
cy
(kHz
)
VCE=900V
D=50%
RG=18
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
erm
al
I
m
ped
ance
(°C/
W
)
Diode
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT30TL60T3G | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT35A120D1 | 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT35A120D1G | 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT35A120D1 | 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT30TL601G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk |
| APTGT30TL60T3G | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT35A120D1G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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