型号: | APTGT75DH120T |
厂商: | Advanced Power Technology Ltd. |
英文描述: | Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
中文描述: | 非对称-桥快速戴场站IGBT功率模块 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 288K |
代理商: | APTGT75DH120T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APTGT75DSK60T3 | Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
ARF1500 | ER 3C 3#16 PIN RECP WALL |
ARF1501 | ER 3C 3#16S SKT RECP |
ARF1502 | ER 2C 2#16S PIN RECP |
AS2524T | Line Interface Speaker Phone; Package Type: SOIC-28; Temperature Range: -25 - +70 °C; Output Interface: Parallel; Supply Voltage: 3,00-5,00 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APTGT75DH120T3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT 1200V 110A SP3 |
APTGT75DH120TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APTGT75DH60T1G | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
APTGT75DH60T3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
APTGT75DH60TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |