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参数资料
| 型号： | APTGT75DH120T |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| 中文描述： | 非对称-桥快速戴场站IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 288K |
| 代理商： | APTGT75DH120T |
APTGT75DH120T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
T
J
=25°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
0.4
0.8
1.2
V
F
(V)
1.6
2
2.4
I
C
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
I
C
(A)
80
100
120
F
V
CE
=600V
D=50%
R
G
=4.7
T
J
=125°C
T
c
=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT75DSK60T3 | Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| ARF1500 | ER 3C 3#16 PIN RECP WALL |
| ARF1501 | ER 3C 3#16S SKT RECP |
| ARF1502 | ER 2C 2#16S PIN RECP |
| AS2524T | Line Interface Speaker Phone; Package Type: SOIC-28; Temperature Range: -25 - +70 °C; Output Interface: Parallel; Supply Voltage: 3,00-5,00 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT75DH120T3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT 1200V 110A SP3 |
| APTGT75DH120TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT75DH60T1G | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT75DH60T3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGT75DH60TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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