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参数资料
| 型号： | APTGT75DH120T |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| 中文描述： | 非对称-桥快速戴场站IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 288K |
| 代理商： | APTGT75DH120T |
APTGT75DH120T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Temperature sensor NTC
(see application note APT0406 on www.advancedpower.com for more information).
Symbol Characteristic
R
25
Resistance @ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
=
B
exp
85
/
25
Min
Typ
50
3952
Max
Unit
k
K
T
T
R
R
T
1
1
25
25
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
2500
-40
-40
-40
1.5
Typ
Max
0.35
0.48
150
125
125
4.7
160
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
T
J
T
STG
T
C
Torque Mounting torque
Wt
Package Weight
Package outline
(dimensions in mm)
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
V
°C
To Heatsink
M5
N.m
g
T: Thermistor temperature
R
T
: Thermistor value at T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT75DSK60T3 | Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| ARF1500 | ER 3C 3#16 PIN RECP WALL |
| ARF1501 | ER 3C 3#16S SKT RECP |
| ARF1502 | ER 2C 2#16S PIN RECP |
| AS2524T | Line Interface Speaker Phone; Package Type: SOIC-28; Temperature Range: -25 - +70 °C; Output Interface: Parallel; Supply Voltage: 3,00-5,00 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT75DH120T3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT 1200V 110A SP3 |
| APTGT75DH120TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT75DH60T1G | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT75DH60T3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGT75DH60TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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