参数资料
型号: AT-32032-BLK
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, MINIATURE, PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件页数: 14/14页
文件大小: 1157K
代理商: AT-32032-BLK
9
AT-32032 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 5 mA
Freq.
GHz
S11
S21
S12
S22
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.860
-19
23.8
15.523
160
-36.4
0.015
80
0.949
-9
0.5
0.496
-67
18.8
8.705
114
-25.4
0.054
63
0.690
-25
0.9
0.298
-90
14.9
5.569
92
-22.0
0.079
61
0.580
-28
1.0
0.269
-96
14.1
5.067
88
-21.4
0.085
61
0.570
-29
1.5
0.168
-119
11.0
3.558
71
-18.5
0.119
59
0.530
-33
1.8
0.133
-135
9.7
3.046
63
-17.1
0.140
58
0.514
-36
2.0
0.116
-146
8.9
2.782
58
-16.2
0.154
57
0.508
-39
3.0
0.086
150
6.1
2.011
34
-12.7
0.232
48
0.483
-54
4.0
0.121
98
4.3
1.640
13
-9.9
0.319
37
0.461
-72
5.0
0.194
70
3.1
1.434
-6
-7.6
0.417
23
0.422
-95
6.0
0.287
57
2.3
1.300
-25
-5.7
0.521
8
0.354
-124
7.0
0.390
43
1.6
1.198
-44
-4.0
0.631
-10
0.274
-166
8.0
0.491
28
0.8
1.101
-62
-2.8
0.722
-30
0.273
137
9.0
0.570
10
0
0.997
-79
-2.2
0.774
-51
0.361
91
10.0
0.640
-9
-1.0
0.891
-95
-2.1
0.781
-72
0.464
57
AT-32032 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 5 mA
Freq.
GHz
Fmin
dB
Γopt
Rn
ohms
Gassoc
dB
Mag
Ang
0.9
1.0
0.38
52
11.7
16.1
1.8
1.2
0.335
124
6.3
11.2
2.0
1.3
0.33
140
5.3
10.5
2.5
1.4
0.35
179
4.3
9.2
3.0
1.6
0.40
-146
5.9
8.2
3.5
1.8
0.47
-118
11.5
7.5
4.0
2.0
0.54
-92
22.0
6.8
gmax
dB(S[2,1])
k
0
25
15
20
5
10
0
2
1
3
4
5
6
GAIN
(dB)
0
1.25
0.75
1
0.25
0.5
k
FREQUENCY (GHz)
Figure 14. Gain vs. Frequency at 5 V, 5 mA.
Note: dB(|S21|) = 20 * log(|S21|)
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
MAG = S21 (k±
k2–1)
S12
MSG = |S21| /|S12|
k =
1 – |S11| 2 – |S22|2 + |D|2
; D = S11S22 – S12S21
2*|S12| |S21|
相关PDF资料
PDF描述
AT-32032-TR2G S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-32032-TR2 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-32032-TR1 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-32033-TR1 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-32033-BLKG S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
AT-32032-BLKG 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT-32032-TR1 功能描述:IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-323 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
AT-32032-TR1G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT-32032-TR2 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 40MA I(C) | SOT-323
AT-32032-TR2G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel