收藏本站
参数资料
型号： AT-32033-TR1
厂商： AGILENT TECHNOLOGIES INC
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： PLASTIC, SMT, 3 PIN
文件页数： 10/11页
文件大小： 112K
代理商： AT-32033-TR1
8
AT-32011 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50
, 2.7 V, I
C = 2 mA
Freq.
Fmin
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
–
0.5[1]
0.52
0.73
20
0.34
0.9
0.75
0.63
49
0.28
1.8
1.26
0.44
111
0.16
2.4
1.60
0.45
153
0.09
Note:
1. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
AT-32011 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, Zo = 50
VCE = 5 V, IC = 2 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.95
-13
16.65
6.80
170
-35.84
0.016
82
0.99
-6
0.5
0.81
-57
15.18
5.74
137
-23.56
0.066
58
0.87
-23
0.9
0.68
-93
13.16
4.55
113
-20.72
0.092
43
0.74
-34
1.0
0.64
-100
12.69
4.31
109
-20.42
0.095
40
0.72
-36
1.5
0.55
-133
10.31
3.28
88
-19.49
0.106
32
0.63
-43
1.8
0.51
-150
9.05
2.84
78
-19.29
0.109
29
0.60
-47
2.0
0.49
-161
8.43
2.64
71
-19.22
0.109
28
0.58
-50
2.4
0.47
180
7.06
2.25
60
-19.03
0.112
29
0.55
-55
3.0
0.47
153
5.29
1.84
45
-18.72
0.116
31
0.54
-62
4.0
0.52
118
3.07
1.42
24
-17.19
0.138
37
0.52
-75
5.0
0.59
94
1.17
1.14
6
-14.73
0.183
38
0.51
-92
Γ
opt
GAIN
(dB)
0
FREQUENCY (GHz)
23
30
15
10
4
20
MSG
MAG
S21
Figure 23. AT-32011 Gains vs.
Frequency at VCE = 5 V, IC = 2 mA.
AT-32033 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, Zo = 50
VCE = 5 V, IC = 2 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.94
-13
16.56
6.73
167
-35.39
0.017
82
0.99
-5
0.5
0.69
-54
14.34
5.21
128
-23.74
0.065
62
0.85
-21
0.9
0.45
-82
11.62
3.81
102
-20.92
0.090
56
0.73
-28
1.0
0.40
-89
11.03
3.56
98
-20.35
0.096
55
0.72
-30
1.5
0.23
-121
8.33
2.61
77
-18.49
0.119
56
0.66
-35
1.8
0.17
-147
7.04
2.25
68
-17.39
0.135
58
0.65
-37
2.0
0.15
-167
6.36
2.08
62
-16.59
0.148
59
0.63
-40
2.4
0.14
151
5.06
1.79
51
-15.14
0.175
60
0.62
-44
3.0
0.20
109
3.52
1.50
37
-12.92
0.226
59
0.61
-53
4.0
0.31
76
1.66
1.21
19
-9.55
0.333
53
0.59
-70
5.0
0.38
55
0.26
1.03
5
-6.80
0.457
42
0.55
-90
AT-32033 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50
, 5 V, I
C = 2 mA
Freq.
Fmin
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
–
0.5[1]
0.52
0.79
15
0.42
0.9
0.75
0.65
48
0.30
1.8
1.26
0.33
127
0.11
2.4
1.60
0.39
-166
0.07
Note:
1. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
Γ
opt
GAIN
(dB)
0
FREQUENCY (GHz)
23
30
15
10
4
20
MSG
MAG
S21
MSG
Figure 24. AT-32033 Gains vs.
Frequency at VCE = 5 V, IC = 2 mA.
相关PDF资料
PDF描述
AT-32033-BLKG S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-32011-BLK S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-32011-TR2 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-32033-TR1G S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-32033-BLK S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
AT-32033-TR1G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT-32033-TR2G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT32063 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:???d???A??????NPN?g?????W?X?^ ?c?C???E?^?C?vSOT-363?p?b?P?[?W
AT-32063 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
AT-32063-BLK 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*