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参数资料
型号： AT-32033-TR1
厂商： AGILENT TECHNOLOGIES INC
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： PLASTIC, SMT, 3 PIN
文件页数： 9/11页
文件大小： 112K
代理商： AT-32033-TR1
7
AT-32011 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, Zo = 50
VCE = 2.7 V, IC = 20 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.52
-49
31.08
35.79
149
-37.78
0.013
72
0.83
-22
0.5
0.36
-138
22.96
14.06
102
-28.93
0.036
62
0.40
-42
0.9
0.34
-168
18.33
8.25
86
-25.15
0.055
64
0.31
-42
1.0
0.34
-174
17.46
7.47
83
-24.41
0.060
64
0.30
-42
1.5
0.34
165
14.13
5.09
71
-21.35
0.086
63
0.28
-45
1.8
0.34
155
12.61
4.27
64
-19.92
0.101
61
0.28
-49
2.0
0.35
148
11.74
3.86
60
-19.08
0.111
60
0.27
-52
2.4
0.36
136
10.23
3.25
52
-17.60
0.132
57
0.27
-58
3.0
0.39
120
8.38
2.62
40
-15.86
0.161
51
0.26
-67
4.0
0.45
98
6.00
2.00
23
-13.68
0.207
42
0.24
-84
5.0
0.52
82
4.25
1.63
7
-11.93
0.253
32
0.23
-106
AT-32011 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50
, 2.7 V, I
C = 20 mA
Freq.
Fmin
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
–
0.5[1]
1.39
0.15
65
0.16
0.9
1.51
0.14
105
0.13
1.8
1.78
0.28
-164
0.12
2.4
1.96
0.40
-142
0.13
Note:
1. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
Γ
opt
GAIN
(dB)
0
FREQUENCY (GHz)
23
30
15
10
4
20
MAG
S21
MSG
Figure 21. AT-32011 Gains vs.
Frequency at VCE = 2.7 V, IC = 20 mA.
AT-32033 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, Zo = 50
VCE = 2.7 V, IC = 20 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.50
-35
29.84
31.03
137
-37.08
0.014
77
0.79
-18
0.5
0.16
-52
19.58
9.53
94
-25.35
0.054
77
0.53
-20
0.9
0.08
-36
14.81
5.50
81
-20.63
0.093
75
0.50
-24
1.0
0.07
-31
13.96
4.99
78
-19.66
0.104
74
0.50
-25
1.5
0.06
12
10.71
3.43
66
-16.31
0.153
69
0.49
-31
1.8
0.07
31
9.31
2.92
60
-14.75
0.183
66
0.48
-35
2.0
0.08
40
8.50
2.66
56
-13.85
0.203
63
0.47
-38
2.4
0.11
48
7.16
2.28
48
-12.32
0.242
59
0.46
-44
3.0
0.15
53
5.62
1.91
37
-10.49
0.299
52
0.43
-54
4.0
0.21
52
3.86
1.56
20
-8.11
0.393
41
0.39
-71
5.0
0.26
48
2.61
1.35
6
-6.34
0.482
29
0.33
-91
AT-32033 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50
, 2.7 V, I
C = 20 mA
Freq.
Fmin
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
–
0.5[1]
1.39
0.15
45
0.28
0.9
1.51
0.12
100
0.22
1.8
1.78
0.28
-135
0.14
2.4
1.96
0.46
-107
0.22
Note:
1. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
Γ
opt
GAIN
(dB)
0
FREQUENCY (GHz)
23
30
15
10
4
20
S21
MSG
MAG
MSG
Figure 22. AT-32033 Gains vs.
Frequency at VCE = 2.7 V, IC = 20 mA.
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PDF描述
AT-32033-BLKG S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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参数描述
AT-32033-TR1G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT-32033-TR2G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
AT32063 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:???d???A??????NPN?g?????W?X?^ ?c?C???E?^?C?vSOT-363?p?b?P?[?W
AT-32063 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
AT-32063-BLK 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
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